Atomera Incorporated a annoncé la disponibilité de la version 2.0 de sa technologie MSTcad (Mears Silicon Technology Transistor Computer-Aided Design), un ensemble d'outils qui fournit des analyses sophistiquées sur la façon dont la MST (Mears Silicon Technology) améliore les processus de semi-conducteurs. Alors que les nouveaux matériaux deviennent de plus en plus essentiels pour relever les défis de l'industrie des semi-conducteurs, la dernière version de MSTcad permet aux fonderies de semi-conducteurs, aux vendeurs de circuits intégrés sans usine et aux entreprises de fabrication de dispositifs intégrés (IDM) d'évaluer rapidement les améliorations apportées par la MST. Comme la version 1.0 qui l'a précédée, la nouvelle version 2.0 de MSTcad reste étroitement couplée à la solution TCAD Sentaurus de Synopsys et permet aux utilisateurs de modéliser les effets physiques et électriques de la MST à l'aide des progiciels de simulation Sentaurus Process et Sentaurus Device, respectivement. Les fabricants de semi-conducteurs sont constamment à la recherche de moyens nouveaux et innovants pour tirer rapidement et à moindre coût plus de capacités des processus de fabrication actuels, et les nouveaux matériaux jouent un rôle de plus en plus important. Le défi réside dans le fait que l'intégration des matériaux est traditionnellement un processus itératif qui nécessite de nombreux essais de silicium pour recueillir des données et ajuster les paramètres. Ce processus n'est pas seulement coûteux, il peut également prendre plusieurs mois à exécuter, en particulier lorsqu'il s'agit de faire entrer des plaquettes de R&D dans les fabs aux capacités limitées d'aujourd'hui. Cela limite les IDM dans leur évaluation des différentes options de matériaux à leur disposition, comme le MST. MSTcad 2.0 améliore la version 1.0 en proposant une modélisation vérifiée sur silicium et une intégration TCAD améliorée des derniers films MST d'Atomera. MSTcad fournit des données précieuses pour les analyses détaillées des avantages attendus de la MST en termes de marge brute et de rétrécissement de la matrice pour de multiples nœuds de processus, allant de la porte tout autour (GAA) la plus avancée ou des nanofeuilles, aux FinFET, HKMG et aux nœuds planaires existants dans les tailles de plaquettes de 300 mm et 200 mm. La version 2.0 de MSTcad introduit les nouvelles fonctionnalités suivantes : Modélisation largement étendue et vérifiée sur silicium de l'interaction du MST avec de multiples espèces de dopants et de défauts ponctuels (auto-interstitiels de silicium et lacunes) ; Modèles explicites pour une stabilité thermique améliorée des derniers films MST de fabrication améliorée pour les recuits thermiques inertes et oxydants ; Intégration simplifiée de MSTcad dans les projets TCAD Sentaurus existants, économisant le temps et les coûts du client. La version 2.0 de MSTcad est disponible auprès d'Atomera. Les utilisateurs actuels de MSTcad version 1.0 peuvent passer à la version 2.0 à tout moment.