La demande de brevet non provisoire de GBT Technologies Inc. portant sur des formes prédictives, tridimensionnelles et multiplanaires, des systèmes et des méthodes de conception et de fabrication de semi-conducteurs a bénéficié d'une procédure accélérée et d'un traitement prioritaire. L'innovation rapide est l'avantage concurrentiel d'une entreprise aux États-Unis et dans le monde entier. GBT souhaite agir rapidement pour protéger ses concepts d'architecture de circuits intégrés 3D et MP, et l'examen prioritaire TrackOne de l'USPTO lui permet d'obtenir une position finale dans un délai d'environ douze mois.

Alors que GBT s'apprête à déposer davantage de brevets dans ce domaine, le programme TrackOne devrait accélérer le temps utile d'examen, dans le but de fournir une protection de la propriété intellectuelle plus rapidement et sans avoir à effectuer une recherche préalable à l'examen. L'objectif de la technologie d'architecture prédictive, 3D, MP IC est d'atténuer dans une large mesure les inconvénients et les problèmes associés aux systèmes et méthodes traditionnels de fabrication de semi-conducteurs et d'IC en fournissant une technologie prédictive de conception et de fabrication permettant de déterminer la meilleure forme 3D, multiplanaire, pour un circuit intégré en fonction des dimensions et des caractéristiques de processus souhaitées. La propriété intellectuelle calcule la meilleure forme multi-planaire en 3D qui correspond à une conception de circuit intégré et à un processus de fabrication sélectionnés, en tenant compte des règles de conception géométrique, des spécifications électriques, des contraintes de fiabilité et des directives de conception pour la fabrication (DFM).

La technologie décrite vise à travailler en conjonction avec la propriété intellectuelle 3D, MP brevetée de GBT afin d'obtenir le meilleur rendement en silicium, les performances les plus élevées, la consommation d'énergie la plus faible et une dissipation électrothermique optimale. GBT prévoit de continuer à déposer des brevets dans ce domaine, en développant son architecture 3D multi-planaire de semi-conducteurs dans les mois à venir.