Intel offrira des services de fonderie à Tower Semiconductor dans le cadre d'un nouvel accord qui verra le fabricant de puces israélien investir 300 millions de dollars dans l'usine d'Intel au Nouveau-Mexique, ont déclaré les entreprises mardi.

Ce partenariat intervient moins d'un mois après que les deux entreprises ont abandonné leur projet de fusion, l'opération envisagée, d'un montant de 5,4 milliards de dollars, n'ayant pas reçu l'aval des autorités de régulation chinoises.

En vertu de ce dernier accord, Tower acquerra et possédera des équipements et d'autres actifs fixes qui seront installés dans l'unité de fabrication de Rio Rancho.

Elle y gagnera une capacité de production de plus de 600 000 couches photo par mois, ce qui aidera le fabricant de puces à répondre à la demande de la prochaine génération de puces de 300 mm.

"Nous considérons qu'il s'agit d'une première étape vers de multiples solutions synergiques uniques avec Intel", a déclaré Russell Ellwanger, PDG de Tower.

"Cette collaboration avec Intel nous permet de répondre aux feuilles de route de la demande de nos clients, avec un accent particulier sur la gestion avancée de l'énergie et les solutions de silicium sur isolant (RF SOI), avec une qualification complète du flux de processus prévue en 2024."

L'accord renforce également la capacité de fonderie d'Intel, qui avance sur des rivaux tels que le leader du secteur, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.

En 2021, Intel s'est engagé à investir 3,5 milliards de dollars dans le site du Nouveau-Mexique et, un an plus tard, a annoncé un investissement de 20 milliards de dollars dans un complexe de fabrication de puces dans l'Ohio.

Au deuxième trimestre, les activités de fonderie d'Intel ont généré un chiffre d'affaires de 232 millions de dollars, contre 57 millions de dollars un an plus tôt.

L'augmentation des ventes de la fonderie provient de l'"emballage avancé", un processus dans lequel Intel peut combiner des pièces de puces fabriquées par une autre société pour créer une puce plus puissante.