Micron Techn. : Intel et Micron présentent la technologie NAND de 25 nanomètres : la technologie de processus la plus petite et la plus avancée de l’industrie des semi-conducteurs

Innovation mondiale, la technologie NAND de 25 nanomètres fournit un moyen économique d'augmenter la capacité de stockage de données, photos et chansons des appareils informatiques et électroniques grand public actuels

 POINTS ESSENTIELS

• Avec la première technologie de processus de 25 nm, Intel et Micron se placent en-tête de l'industrie des semi-conducteurs.
• Les nouvelles mémoires Flash de 25 nm fournissent un moyen plus économique d'augmenter la capacité de stockage des lecteurs multimédia/de musique portables, des smartphones et des disques SSD.
• Le processus de 25 nm produit 8 gigaoctets (Go) de stockage sur un simple dispositif NAND, fournissant une solution de stockage à haute capacité pour les gadgets grand public.

SANTA CLARA (Californie) et BOISE (Idaho), le 1er février 2010 (GLOBE NEWSWIRE) -- Intel Corporation et Micron Technology, Inc. (Nasdaq : MU) ont annoncé aujourd'hui la première technologie NAND de 25 nanomètres (nm) au monde, qui fournit un moyen plus économique d'augmenter la capacité de stockage de gadgets grand public tels que les smartphones, les lecteurs multimédia/de musique, ainsi que les nouveaux disques SSD à haute performance.

La mémoire Flash NAND stocke les données et d'autres contenus multimédia sur les appareils électroniques grand public, conservant les informations même lorsque l'appareil est éteint. Les efforts produits pour réduire la taille des processus NAND permettent de poursuivre le développement et d'introduire de nouvelles utilisations de cette technologie. Le processus de 25 nm est non seulement la plus petite technologie NAND, mais est aussi la plus petite technologie de semi-conducteur au monde. Cet exploit technologique permet de continuer d'augmenter la capacité de stockage de musique, de vidéo et d'autres données des applications informatiques et électroniques grand public actuelles.

Fabriqué par IM Flash Technologies (IMFT), coentreprise de mémoire Flash NAND d'Intel et Micron, le processus de 25 nm produit 8 gigaoctets (Go) de stockage sur un simple dispositif NAND, fournissant une solution de stockage à haute capacité pour les petits gadgets grand public actuels. Il ne mesure que 167 mm2 ; suffisamment petit pour tenir dans le trou situé au centre d'un disque compact (CD), sa capacité de stockage de données est plus de 10 fois supérieure à celle d'un CD (un CD standard contient 700 mégaoctets de données).

Grâce à leur engagement et investissement dans la recherche et le développement de mémoire NAND, Intel et Micron ont doublé la densité de NAND environ tous les 18 mois, pour aboutir à des produits plus petits, plus économiques et de plus haute capacité. IMFT a commencé la production en 2006 avec un processus de 50 nm, suivi d'un processus de 34 nm en 2008. Grâce au processus actuel de 25 nm, les entreprises augmentent leur leadership en matière de processus et de fabrication avec l'introduction de la plus petite lithographie de semi-conducteur disponible dans le secteur.

« Le fait d'être en-tête de l'industrie des semi-conducteurs avec la technologie de processus la plus avancée est un exploit phénoménal pour Intel et Micron, et nous nous réjouissons à la perspective de repousser encore les limites », a déclaré Brian Shirley, vice-président du groupe mémoire de Micron. « Cette technologie de fabrication apportera d'importants bénéfices à nos clients par le biais de solutions multimédia de plus haute densité ».

« Grâce à notre investissement continu dans IMFT, nous fournissons une technologie et une fabrication de pointe qui aboutissent à la mémoire NAND la plus économique et la plus fiable du marché », a déclaré Tom Rampone, vice-président et directeur général du Groupe de solutions NAND chez Intel. « Cela contribuera à accélérer l'adoption de solutions informatiques basées sur les disques SSD ».

Le dispositif de 8 Go et 25 nm est testé actuellement et devrait être fabriqué en série au cours du deuxième trimestre 2010. Pour les fabricants d'appareils électroniques grand public, le dispositif fournit la plus haute densité atteinte sur une seule puce à cellules multiniveaux (MLC) de 2 bits par cellule, qui peut s'adapter à un boîtier mince à connexions courtes (TSOP) standard. Plusieurs dispositifs de 8 Go peuvent être empilés dans un boîtier pour augmenter la capacité de stockage. Le nouveau dispositif de 8 Go et 25 nm réduit le nombre de puces de 50 pour cent par rapport aux précédentes générations de processus, donnant lieu à des conceptions plus petites, mais de plus grande densité, et à de plus grandes économies. Par exemple, un disque SSD de 256 Go peut maintenant être fabriqué avec seulement 32 de ces dispositifs (contre 64 antérieurement), un  smartphone de 32 Go n'en nécessite que quatre, et une carte Flash de 16 Go en nécessite seulement deux.

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• Intel sur Twitter : http://twitter.com/intelnews

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Micron Technology, Inc., est l'un des principaux fournisseurs mondiaux de solutions de pointe dans le domaine des semi-conducteurs. Par le biais de ses activités internationales, Micron fabrique et commercialise des mémoires DRAM, des mémoires Flash NAND, d'autres  composants de semi-conducteur, et des modules de mémoire destinés aux produits informatiques, grand public, réseau et mobiles de pointe. L'action ordinaire de Micron est cotée au NASDAQ sous le symbole MU. Pour en savoir plus à propos de Micron Technology, Inc., consultez www.micron.com.

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Ce communiqué de presse contient des énoncés prospectifs concernant la production du dispositif NAND de 8 Go et 25 nm. Les évènements ou résultats réels pourraient être sensiblement différents de ceux contenus dans les énoncés prospectifs. Veuillez vous reporter aux documents de Micron déposés de manière consolidée de temps à autre auprès de la Securities and Exchange Commission, et spécifiquement aux formulaires 10-K et 10-Q les plus récents de Micron. Ces documents contiennent et identifient d'importants facteurs qui pourraient entraîner que les résultats réels de Micron de manière consolidée pourraient être sensiblement différents de ceux contenus dans nos énoncés prospectifs (cf. Facteurs certains). Bien que nous pensions que les prévisions reflétées par les énoncés prospectifs sont raisonnables, nous ne pouvons offrir aucune garantie quant aux futurs résultats, niveaux d'activité, performances ou réalisations.

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