Renesas Electronics Corporation a annoncé un nouveau circuit intégré de commande de grille conçu pour commander des dispositifs de puissance haute tension tels que les IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) et les MOSFET SiC (carbure de silicium) pour les onduleurs de véhicules électriques (VE). Les circuits intégrés de commande de grille sont des composants essentiels des onduleurs de VE, fournissant une interface entre l'unité MCU de commande de l'onduleur et les IGBT et les MOSFET SiC qui fournissent la puissance à l'onduleur. Ils reçoivent des signaux de commande de l'UCM dans le domaine de la basse tension et transfèrent ces signaux pour allumer et éteindre rapidement les dispositifs de puissance dans le domaine de la haute tension.

Pour s'adapter aux tensions plus élevées des batteries des VE, le RAJ2930004AGM dispose d'un isolateur intégré de 3,75kVrms (kV moyenne quadratique), ce qui est supérieur à l'isolateur de 2,5kVrms du produit de la génération précédente, et peut prendre en charge des dispositifs d'alimentation avec une tension de résistance allant jusqu'à 1200V. En outre, le nouveau circuit intégré de pilotage affiche des performances CMTI (Common Mode Transient Immunity) supérieures à 150 V/ns (nanoseconde) ou plus, ce qui permet une communication fiable et une meilleure immunité au bruit tout en répondant aux tensions élevées et aux vitesses de commutation rapides requises dans les systèmes d'onduleurs. Le nouveau produit propose les fonctions de base d'un driver de porte dans un petit boîtier SOIC16, ce qui le rend idéal pour les systèmes d'onduleurs rentables. Le RAJ2930004AGM peut être utilisé avec les IGBT de Renesas ainsi qu'avec les IGBT et les MOSFET SiC d'autres fabricants. En plus des inverseurs de traction, le circuit intégré de commande de grille est idéal pour une large gamme d'applications qui utilisent des semi-conducteurs de puissance, comme les chargeurs embarqués et les convertisseurs DC/DC.

Pour aider les développeurs à commercialiser rapidement leurs produits, Renesas propose la solution xEV Inverter Kit qui combine des circuits de commande de grille avec des MCU, des IGBT et des circuits de gestion de puissance, et prévoit de lancer une version intégrant le nouveau circuit de commande de grille au cours du premier semestre 2023. Caractéristiques principales du RAJ2930004AGM Gate Driver IC : Capacités d'isolation : Tension d'isolement de tenue : 3,75kVrms ; CMTI (Common Mode Transient Immunity) : 150V/ns ; Capacités de pilotage de porte : Courant de sortie de pointe : 10A ; Fonctions de protection/détection de défaut ; Pince de Miller active intégrée ; Arrêt progressif ; Protection contre les surintensités (protection DESAT) ; Verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) ; Retour d'information sur les défauts ; et Plage de température de fonctionnement : -40 à 125°C (Tj:150°C max.). Ce produit contribuera à accroître l'adoption des VE en réalisant des onduleurs rentables, minimisant ainsi les impacts environnementaux.

Disponibilité : Le circuit intégré de commande de grille RAJ2930004AGM est disponible en quantités d'échantillons, la production en série étant prévue pour le premier trimestre 2024.