Soitec et Sumitomo Electric Industries ont annoncé leur collaboration en vue de développer des substrats avancés en nitrure de gallium (GaN). « Cette technologie facilitera ainsi l'adoption à grande échelle des plaques de GaN dans des applications telles que les diodes LED haute luminosité et les systèmes d'alimentation électrique que l'on trouve dans les véhicules électriques et hybrides », a précisé le spécialiste de la technologie SOI (silicium sur isolant).

« Notre collaboration avec Soitec ouvrira la voie à la réalisation de substrats en nitrure de gallium de haute qualité et de faible coût », a déclaré Masamichi Yokogawa, Executive Officer de Sumitomo Electric et General Manager de la division Compound Semiconductor Material.

Cette collaboration marque la première étape d'une évolution importante de notre stratégie visant à répondre aux besoins croissants d'amélioration de l'efficacité énergétique dans les applications d'éclairage et de conversion de puissance par des solutions innovantes d'ingénierie des matériaux », a déclaré André- Jacques Auberton-Hervé, Président-directeur général de Soitec.